[发明专利]一种PMOS器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610601005.9 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106024903A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王全;刘林林;庄翔;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PMOS器件结构，包括位于硅衬底上的栅极、位于硅衬底中的栅极两侧的源漏区以及栅极下方的第一N阱，所述第一N阱四周依次围有P阱、第二N阱，所述第一N阱、P阱和第二N阱下方相连设有第三N阱；本发明通过在PMOS器件结构上增加包围PMOS的P阱结构，以及增加包围P阱的第二N阱和深N阱结构，将PMOS与衬底隔离开来，可减小衬底噪声对PMOS器件的影响，从而具有较好的噪声特性，在射频微波毫米波应用中有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS器件结构，其特征在于，包括位于硅衬底上的栅极、位于硅衬底中的栅极两侧的源漏区以及栅极下方的第一N阱，所述第一N阱四周依次围有P阱、第二N阱，所述第一N阱、P阱和第二N阱下方相连设有第三N阱，以将所述PMOS器件与硅衬底隔离。
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