[发明专利]一种高效异质结电池的边缘隔离方法

摘要

本发明公开了一种高效异质结电池的边缘隔离方法，所述方法包括如下步骤对硅片进行掩膜材料的涂覆处理形成掩膜涂层，且不对硅片两侧边缘的金属导电层和背金属电极进行涂覆；对涂覆处理后的硅片进行固化处理；将固化处理后的硅片放入酸性溶液中进行蚀刻处理，蚀刻掉硅片两侧边缘的金属导电层和背金属电极，并用去离子水喷淋清洗；将蚀刻处理后的硅片放入碱性溶液中进行浸泡脱膜，并用去离子水喷淋清洗；对浸泡脱膜后的硅片进行烘干处理。本发明将掩膜材料应用到高效异质结电池的边缘隔离方法中来，采用酸性蚀刻的方法蚀刻掉硅片侧面边缘的金属导电层和背金属电极，最终采用碱液脱膜，喷淋清洗的方式达到预期绝缘的效果，具有方法简单、易于自动化、硅片不良率低、绝缘效果好等优点。

主权项

一种高效异质结电池的边缘隔离方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：对硅片进行掩膜材料的涂覆处理形成掩膜涂层，且不对硅片两侧边缘的金属导电层和背金属电极进行涂覆；对涂覆处理后的硅片进行固化处理；将固化处理后的硅片放入酸性溶液中进行蚀刻处理，蚀刻掉硅片两侧边缘的金属导电层和背金属电极，并用去离子水喷淋清洗；将蚀刻处理后的硅片放入碱性溶液中进行浸泡脱膜，并用去离子水喷淋清洗；对浸泡脱膜后的硅片进行烘干处理。