[发明专利]改善晶圆边缘缺陷的方法以及MOS晶体管

摘要

本发明提供了一种改善晶圆边缘缺陷的方法以及MOS晶体管。改善晶圆边缘缺陷的方法包括：在半导体制造过程中，在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的有源区的初始第一光刻胶层，初始第一光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；去除初始第一光刻胶层的冗余边缘倒角区域；利用第一光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的有源区；执行形成阱区以及形成场氧化层的步骤以形成氧化层；在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的沟槽区域的初始第二光刻胶层，第二光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；去除第二光刻胶层冗余边缘倒角区域，露出冗余边缘倒角区域所覆盖的所述氧化层；利用第二光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的沟槽区域。

主权项

一种改善晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在半导体制造过程中，在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的有源区的初始第一光刻胶层；其中，初始第一光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；第二步骤：去除初始第一光刻胶层的冗余边缘倒角区域；第三步骤：在去除冗余边缘倒角区域之后，利用第一光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的有源区；第四步骤：执行形成阱区以及形成场氧化层等步骤，该步骤结束时在被去除的第一光刻胶层冗余边缘倒角区域内形成了厚氧化层；第五步骤：在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的沟槽区域的初始第二光刻胶层；其中，第二光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；第六步骤：去除第二光刻胶层冗余边缘倒角区域，露出冗余边缘倒角区域所覆盖的所述氧化层；第七步骤：在去除冗余边缘倒角区域之后，利用第二光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的沟槽区域。