[发明专利]自对准硅化物阻挡层的制造方法有效
| 申请号： | 201610596123.5 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106024622B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准硅化物阻挡层的制造方法，采用不大于180W的刻蚀功率以及5sccm～7sccm的氧气流量来对所述自对准硅化物阻挡层进行干法刻蚀，可以减少刻蚀过程中的等离子体损伤，降低刻蚀产生的聚合物向半导体衬底边缘的扩散，达到兼顾刻蚀速率和刻蚀均匀性的效果，从而得到均匀的、性能良好的图形化的自对准硅化物阻挡层，以避免器件性能设计指标偏移，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 硅化物 阻挡 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准硅化物阻挡层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成自对准硅化物阻挡层和图形化光阻层；以所述图形化光阻层为掩膜，采用功率不大于180W、氧气流量为5sccm～7sccm的干法刻蚀工艺刻蚀所述自对准硅化物阻挡层，以形成图形化的自对准硅化物阻挡层；在所述半导体衬底表面上形成自对准硅化物阻挡层之后、形成所述图形化光阻层之前，对具有所述自对准硅化物阻挡层的半导体衬底进行去离子水清洗，并进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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