[发明专利]存储元件及存储器阵列有效
| 申请号： | 201610589985.5 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107180651B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈志欣;王世辰;赖宗沐 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储元件，存储元件包括存储单元及电压传输装置。存储单元包括浮接栅极晶体管、字符线晶体管、第一电容元件及第二电容元件。浮接栅极晶体管具有第一端、第二端及浮接栅极，浮接栅极晶体管的第一端接收位线信号。字符线晶体管的第一端耦接于浮接栅极晶体管的第二端，字符线晶体管的第二端接收第三电压，而字符线晶体管的控制端接收字符线信号。电压传输装置在禁止操作期间输出第二电压，并在写入操作或清除操作期间输出第一电压。第一电容元件耦接于电压传输装置及浮接栅极，并接收第一控制信号。第二电容元件接收第二控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其特征在于，包括：第一电压传输装置，用以根据所述存储元件的操作输出电压；及第一存储单元，包括：第一浮接栅极晶体管，具有第一端用以接收第一位线信号，第二端，及浮接栅极；及第一电容元件，具有第一端耦接于所述第一电压传输装置，第二端，及控制端耦接于所述第一浮接栅极晶体管的所述浮接栅极，及基极用以接收第一控制信号；其中：所述第一电容元件及所述第一电压传输装置都设置在第一N井区；在所述第一存储单元的写入操作或清除操作期间，所述第一电容元件的所述第一端接收所述第一电压传输装置输出的第一电压；在所述第一存储单元的禁止操作期间，所述第一电容元件的所述第一端接收所述第一电压传输装置输出的第二电压；及所述第一电压大于所述第二电压。
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