[发明专利]存储元件及存储器阵列

权利要求书

1.一种存储元件，其特征在于，包括：

第一电压传输装置，用以根据所述存储元件的操作输出电压，所述第一电压传输装置包括第一传输栅极晶体管，具有第一端用以接收禁止操作信号，第二端，及控制端用以接收传输栅极控制信号；及

第一存储单元，包括：

第一浮接栅极晶体管，具有第一端用以接收第一位线信号，第二端，及浮接栅极；及

第一电容元件，具有第一端耦接于所述第一传输栅极晶体管的所述第二端，第二端，及控制端耦接于所述第一浮接栅极晶体管的所述浮接栅极，及基极用以接收第一控制信号；

其中：

所述第一电容元件及所述第一电压传输装置都设置在第一N井区；

在所述第一存储单元的写入操作或清除操作期间，所述第一电容元件的所述第一端接收所述第一电压传输装置输出的第一电压；

在所述第一存储单元的禁止操作期间，所述第一电容元件的所述第一端接收所述第一电压传输装置输出的第二电压；

所述第一电压大于所述第二电压；

在所述第一存储单元的所述写入操作期间，所述第一控制信号是在所述第一电压，所述第一位线信号是介在第四电压至第三电压的范围内，所述禁止操作信号是在所述第一电压，所述传输栅极控制信号是在第五电压，及所述第一传输栅极晶体管的所述第一端接收所述第一电压；

在所述第一存储单元的禁止写入操作期间，所述第一控制信号是在所述第一电压，所述第一位线信号是介在所述第四电压至所述第三电压的所述范围内，所述禁止操作信号是在所述第二电压，所述传输栅极控制信号是在所述第五电压，及所述第一传输栅极晶体管的所述第一端接收所述第二电压；及

所述第三电压小于所述第四电压，所述第四电压小于所述第五电压，且所述第五电压小于所述第二电压。

2.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于所述第一存储单元还包括：

第一字符线晶体管，具有第一端耦接于所述第一浮接栅极晶体管的所述第二端，第二端用以接收所述第三电压，及控制端用以接收字符线信号；

其中：

在所述第一存储单元的所述写入操作期间，所述字符线信号是介在所述第四电压至所述第三电压的范围内；及

在所述第一存储单元的所述禁止写入操作期间，所述字符线信号是介在所述第四电压至所述第三电压的所述范围内。

3.如权利要求2所述的存储元件，其特征在于所述第一字符线晶体管具有低临界电压。

4.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于所述第一存储单元还包括：

第二电容元件，耦接于所述第一浮接栅极晶体管的所述浮接栅极，并用以接收至少一第二控制信号；

其中：

在所述第一存储单元的所述写入操作期间，所述第二控制信号是在所述第一电压；及

在所述第一存储单元的所述禁止写入操作期间，所述第二控制信号是在所述第一电压。