[发明专利]存储元件及存储器阵列

说明书

本发明公开了一种存储元件，存储元件包括存储单元及电压传输装置。存储单元包括浮接栅极晶体管、字符线晶体管、第一电容元件及第二电容元件。浮接栅极晶体管具有第一端、第二端及浮接栅极，浮接栅极晶体管的第一端接收位线信号。字符线晶体管的第一端耦接于浮接栅极晶体管的第二端，字符线晶体管的第二端接收第三电压，而字符线晶体管的控制端接收字符线信号。电压传输装置在禁止操作期间输出第二电压，并在写入操作或清除操作期间输出第一电压。第一电容元件耦接于电压传输装置及浮接栅极，并接收第一控制信号。第二电容元件接收第二控制信号。

技术领域

本发明是有关于一种存储元件，特别是一种具有电压传输装置的存储元件。

背景技术

电子式可复写非挥发性存储器是一种可在没有电源的情况下，保存所储存的信息的存储器，并且可在存储器上件后由其他程序复写。由于非挥发性存储器所能应用的范围相当广泛，因此将非挥发性存储器与主要电路嵌入在同一块芯片的做法也成为一种趋势，特别是像个人电子装置这种对于电路面积有严格限制的应用中。

现有技术的非挥发性存储元件可包括一个用以保存数据的浮接栅极晶体管，以及一或二个用以控制浮接栅极晶体管以执行对应操作的选择晶体管。由于存储单元的所有操作，例如写入操作、清除操作、禁止操作及读取操作，都须由选择晶体管控制，因此选择晶体管常需操作在高电压，而必须以具高临界电压的晶体管来实做。

然而，因为选择晶体管具有高临界电压，所以存储单元的读取操作也须以高电压驱动，因而拉长了读取数据所需的时间，也增加了不必要的电能损耗。因此如何加速读取过程，并降低读取电压的需求就成为了有待解决的问题。

发明内容

为了能够较先前技术加速存储单元的读取过程，并减少不必要的电能损耗，本发明的一实施例提供一种存储元件。存储元件包括：第一电压传输装置及第一存储单元。

第一电压传输装置根据存储元件的操作输出电压。第一存储单元包括第一浮接栅极晶体管及第一电容元件。第一浮接栅极晶体管具有第一端，第二端及浮接栅极。第一浮接栅极晶体管的第一端接收第一位线信号。第一电容元件具有第一端、第二端、控制端及基极，第一电容元件的第一端耦接于第一电压传输装置，第一电容元件的控制端耦接于第一浮接栅极晶体管的浮接栅极，而第一电容元件的基极接收第一控制信号。

第一电容元件及第一电压传输装置都设置在第一N井区。在第一存储单元的写入操作或清除操作期间，第一电容元件的第一端接收第一电压传输装置输出的第一电压。在第一存储单元的禁止操作期间，第一电容元件的第一端接收第一电压传输装置输出的第二电压。第一电压大于第二电压。

本发明的一实施例提供一种存储器阵列，存储器阵列包括至少一列存储元件。同一列的每一存储元件包括第一电压传输装置、第二电压传输装置、第一存储单元及第二存储单元。

第一电压传输装置接收禁止操作信号，并根据第一传输栅极控制信号输出电压。第二电压传输装置接收所述禁止操作信号，并根据第二传输栅极控制信号输出电压。

第一存储单元包括第一浮接栅极晶体管、第一电容元件、第一字符线晶体管及第二电容元件。第一浮接栅极晶体管具有第一端、第二端及浮接栅极，第一浮接栅极晶体管的第一端接收第一位线信号。第一电容元件具有第一端、第二端、控制端及基极，第一电容元件的第一端耦接于第一电压传输装置，第一电容元件的控制端耦接于第一浮接栅极晶体管的浮接栅极，及第一电容元件的基极接收第一控制信号。第一字符线晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一字符线晶体管的第一端耦接于第一浮接栅极晶体管的第二端，第一字符线晶体管的第二端接收第三电压，而第一字符线晶体管的控制端用以接收字符线信号。第二电容元件耦接于第一浮接栅极晶体管的浮接栅极，并接收第二控制信号。