[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括：在基板上的栅极、栅极绝缘层、设置于栅极绝缘的凸起部的两端的第一有源层和第二有源层、分别与第一有源层和第二有源层接触的第一源极和第二源极、钝化层、钝化层中的第一过孔和第二过孔、在所述钝化层上且分别通过第一过孔和第二过孔与第一有源层和第二有源层接触的漏极，漏极与第一有源层的接触平面与第一源极与第一有源层的接触平面之间的距离等于凸起部的高度，漏极与第二有源层的接触平面与第二源极与第二有源层的接触平面之间的距离等于凸起部的高度。本发明实现了短沟道的薄膜晶体管，从而使短沟道的薄膜晶体管具有更大的宽长比，具有更大的开态电流。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上的栅极；所述栅极的中间部分凸起，且所述栅极的中间部分的截面形状呈梯形状；覆盖所述基板和所述栅极的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极的部分凸起，以形成凸起部，所述栅极绝缘层覆盖所述基板的部分未凸起，以形成平坦部；所述凸起部的截面形状呈梯形状，所述凸起部的侧壁倾斜；在所述凸起部上且分别位于所述凸起部两端的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层沿着所述凸起部的侧壁延伸至所述平坦部上；与所述第一有源层接触的第一源极，以及与所述第二有源层接触的第二源极，所述第一源极与所述第二源极彼此连接；覆盖所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一源极、所述第二源极和所述栅极绝缘层的钝化层；在所述钝化层中且暴露所述第一有源层的第一过孔，以及在所述钝化层中且暴露所述第二有源层的第二过孔；在所述钝化层上且分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一有源层和所述第二有源层接触的漏极，所述漏极与所述第一有源层的接触平面与所述第一源极与所述第一有源层的接触平面之间的距离等于所述凸起部的高度，所述漏极与所述第二有源层的接触平面与所述第二源极与所述第二有源层的接触平面之间的距离等于所述凸起部的高度；所述第一源极位于延伸至所述平坦部上的所述第一有源层上，所述第二源极位于延伸至所述平坦部上的所述第二有源层上；所述第一过孔和所述第二过孔分别将位于所述凸起部上的第一有源层和第二有源层暴露；或者所述第一源极位于在所述凸起部上的所述第一有源层上，所述第二源极位于在所述凸起部上的所述第二有源层上；所述第一过孔和所述第二过孔分别将延伸至所述平坦部上的第一有源层和第二有源层暴露。