[发明专利]一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610567043.7 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106206894A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈凯轩;姜伟;林志伟;卓祥景 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管，由衬底、基础GaN外延层、高阻值GaN电流阻挡层、透明导电层、顶电极和侧面电极组成；在衬底上依次生长基础GaN外延层和高阻值GaN外延层，将基础GaN外延层部分刻蚀掉形成台面，将高阻值GaN外延层部分刻蚀掉形成高阻值GaN电流阻挡层，在台面和高阻值GaN电流阻挡层上覆盖透明导电层，在透明导电层上设置与高阻值GaN电流阻挡层对应的顶电极，在台面的侧方设置侧面电极。本发明通过在基础GaN外延层上直接外延生长一层高阻值GaN外延层进而形成高阻值GaN电流阻挡层，从而解决了GaN外延层与电流阻挡层结合力较弱的问题，并且提高了发光二极管产品的制作效率，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阻值 gan 电流 阻挡 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管，其特征在于：由衬底、基础GaN外延层、高阻值GaN电流阻挡层、透明导电层、顶电极和侧面电极组成；在衬底上依次生长基础GaN外延层和高阻值GaN外延层，将基础GaN外延层部分刻蚀掉形成台面，将高阻值GaN外延层部分刻蚀掉形成高阻值GaN电流阻挡层，在台面和高阻值GaN电流阻挡层上覆盖透明导电层，在透明导电层上设置与高阻值GaN电流阻挡层对应的顶电极，在台面的侧方设置侧面电极。
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