[发明专利]具有反向续流能力的IGBT及其制造方法有效
| 申请号： | 201610566543.9 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106057876B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 柯行飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有反向续流能力的IGBT，包括：正面MOS结构，N型漂移区，背面集电极结构；背面集电极结构包括N+缓冲层，P+注入层和背面金属层。P+注入层的图形结构通过在半导体衬底正面形成的凹槽进行定义，N+缓冲层的结深大于所述凹槽的深度，P+注入层小于所述凹槽的深度并位于凹槽之间的半导体衬底的N+缓冲层的背面；背面金属层完全填充凹槽且延伸到凹槽外的整个半导体衬底背面。本发明还公开了一种具有反向续流能力的IGBT的制造方法。本发明不需要采用背面光刻和去胶工艺就能集成具有反向续流能力的二极管结构，工艺简单，成品率高，能提高可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反向 能力 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有反向续流能力的IGBT的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，采用光刻刻蚀工艺在所述半导体衬底表面形成凹槽；步骤二、在所述凹槽中填充介质膜；步骤三、在所述半导体衬底表面形成N型外延层；步骤四、在所述N型外延层的正面形成正面MOS结构，N型漂移区由所述正面结构底部的所述N型外延层组成；步骤五、对所述半导体衬底进行背面减薄直至所述凹槽的所述介质膜从背面露出；步骤六、进行N型重掺杂的背面离子注入形成N+缓冲层，所述N+缓冲层的结深大于所述凹槽的深度，所述N+缓冲层位于整个所述N型漂移区的背面；步骤七、进行P型重掺杂的背面离子注入形成P+注入层，所述P+注入层小于所述凹槽的深度，所述P+注入层位于所述凹槽之间的所述半导体衬底的所述N+缓冲层的背面；步骤八、去除所述介质膜；步骤九、形成背面金属层，所述背面金属层完全填充所述凹槽且延伸到所述凹槽外的整个所述半导体衬底背面；所述N+缓冲层和填充于所述凹槽内的所述背面金属层接触；所述P+注入层直接和位于所述凹槽之间的所述半导体衬底背面的所述背面金属层接触。
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