[发明专利]一种采用MEMS工艺制备有机微通道板的方法有效
| 申请号： | 201610565485.8 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106206213B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 曹伟伟;朱炳利;秦君军;白永林;王博;白晓红;缑永胜;刘百玉;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J9/233 | 分类号： | H01J9/233;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 李思源 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用MEMS工艺制备有机微通道板的方法，包括以下步骤采用MEMS工艺制备出具有高深宽比结构的硅基基底；2)采用ALD或化学气相沉积的方法在步骤1)制备的硅基基底上沉积有机物；3)通过机械减薄方式将硅基基底表面多余的有机物去除，露出基底上表面；4)通过化学腐蚀的方式将硅基底去除，形成有机微通道；5)通过原子层沉积工艺在有机微通道内部沉积导电层和二次电子发射层，最终得到有机微通道板。本发明方法制备的有机微通道板具有介电常数低，介电损耗小的有点，能够保证分幅相机中脉冲电压的高幅度和低损耗性能，进而提高分幅相机的增益强度和增益均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 mems 工艺 制备 有机 通道 方法 | ||
【主权项】：
一种采用MEMS工艺制备有机微通道板的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)采用MEMS工艺制备出具有高深宽比结构的硅基基底；所述高深宽比结构为柱状结构；制备采用干法刻蚀或电化学湿法刻蚀；2)采用ALD或化学气相沉积的方法在步骤1)制备的硅基基底上沉积有机物；3)通过机械减薄方式将硅基基底表面多余的有机物去除，露出基底上表面；4)通过化学腐蚀的方式将硅基基底去除，形成有机微通道；5)通过原子层沉积工艺在有机微通道内部沉积导电层和二次电子发射层，最终得到有机微通道板。
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