[发明专利]一种用于减小暗电流的像素单元结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于减小暗电流的像素单元结构及其制造方法，通过将常规像素单元中原有的传输管栅极取消，在原传输管栅极的位置上方使用金属结构进行覆盖，并在光电二极管和悬浮漏极之间自下而上设置阱区、下夹断层、沟道层、上夹断层形成沟道区，利用金属结构作为沟道区的挡光层，以防止入射光线对下方导电沟道内的电荷产生影响，并将金属结构作为沟道层开启和关闭的控制端，可以消除原有传输管栅极的栅氧层和衬底硅之间的界面态，从而有效降低像素单元的暗电流。

主权项

1.一种用于减小暗电流的像素单元结构，其特征在于，包括：硅衬底，形成于硅衬底中的有源区和包围有源区的浅槽隔离，所述有源区形成有光电二极管、悬浮漏极以及位于光电二极管和悬浮漏极之间的沟道区，所述沟道区自下而上形成有阱区、下夹断层、沟道层、上夹断层；形成于硅衬底上方、其投影覆盖沟道区的金属结构，所述金属结构通过接触孔连接上夹断层；所述金属结构作为沟道区的挡光层以及沟道层开启和关闭的控制端，其中，通过对所述金属结构加正偏压，使沟道处于关闭状态，利用光电二极管进行电荷积累，通过对所述金属结构加零偏压，使沟道处于开启状态，将光电二极管中积累的电荷传输到悬浮漏极。