[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610561428.2 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107623035B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王彦;韩秋华;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有牺牲层和掩膜层；图案化所述掩膜层和所述牺牲层，以在所述掩膜层和所述牺牲层中形成相互间隔的第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽的横向尺寸小于所述第二凹槽的横向尺寸；在所述第一凹槽中外延生长半导体材料层，以形成第一鳍片，同时在所述第二凹槽中外延生长所述半导体材料层，以形成第二鳍片，其中，所述第二鳍片的高度小于所述第一鳍片的高度；去除所述掩膜层和所述牺牲材料层，以露出所述第一鳍片和所述第二鳍片；修剪所述第二鳍片，以使所述第二鳍片的横向尺寸等于所述第一鳍片的横向尺寸。通过所述方法可以更好的控制所述鳍片的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有牺牲层和掩膜层；图案化所述掩膜层和所述牺牲层，以在所述掩膜层和所述牺牲层中形成相互间隔的第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽的横向尺寸小于所述第二凹槽的横向尺寸；在所述第一凹槽中外延生长半导体材料层，以形成第一鳍片，同时在所述第二凹槽中外延生长所述半导体材料层，以形成第二鳍片，其中，所述第二鳍片的高度小于所述第一鳍片的高度；去除所述掩膜层和所述牺牲材料层，以露出所述第一鳍片和所述第二鳍片；修剪所述第二鳍片，以使所述第二鳍片的横向尺寸等于所述第一鳍片的横向尺寸。
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