[发明专利]一种硅太阳能电池的湿法刻蚀方法及其使用的水膜溶液

摘要

本发明公开了一种硅太阳能电池的湿法刻蚀方法，包括水膜保护步骤和刻蚀步骤，(1) 水膜保护步骤采用水膜溶液在硅片的扩散面上形成水膜保护层，该水膜保护层一直持续存在，直到硅片完成刻蚀步骤；所述水膜溶液中H+离子的浓度大于10‑7mol/L，水膜溶液的粘度大于同等条件下的水的粘度；(2) 刻蚀步骤硅片进入刻蚀模块，刻蚀背面和边缘的PN结，在刻蚀模块中，硅片采用漂浮在刻蚀液上的方式进行刻蚀。本发明大大提升了酸刻蚀的刻蚀量，且可以应用于现有设备和工艺流程上，取得了意想不到的效果。

主权项

一种硅太阳能电池的湿法刻蚀方法，包括水膜保护步骤和刻蚀步骤，其特征在于：(1) 水膜保护步骤：采用水膜溶液在硅片的扩散面上形成水膜保护层，该水膜保护层一直持续存在，直到硅片完成刻蚀步骤；所述水膜溶液中H+离子的浓度大于10‑7mol/L，水膜溶液的粘度大于同等条件下的水的粘度；(2) 刻蚀步骤：硅片进入刻蚀模块，刻蚀背面和边缘的PN结，在刻蚀模块中，硅片采用漂浮在刻蚀液上的方式进行刻蚀；所述步骤(2)中，硅片背面的刻蚀深度大于等于7微米；所述水膜溶液中H+离子的浓度小于等于3mol/L，且大于10‑7mol/L；水膜溶液的粘度为2~15厘泊。