[发明专利]一种硅太阳能电池的湿法刻蚀方法及其使用的水膜溶液

权利要求书

1.一种硅太阳能电池的湿法刻蚀方法，包括水膜保护步骤和刻蚀步骤，其特征在于：

(1) 水膜保护步骤：采用水膜溶液在硅片的扩散面上形成水膜保护层，该水膜保护层一直持续存在，直到硅片完成刻蚀步骤；

所述水膜溶液中H⁺离子的浓度大于10^-7mol/L，水膜溶液的粘度大于同等条件下的水的粘度；

(2) 刻蚀步骤：硅片进入刻蚀模块，刻蚀背面和边缘的PN结，在刻蚀模块中，硅片采用漂浮在刻蚀液上的方式进行刻蚀；

所述步骤(2)中，硅片背面的刻蚀深度大于等于7微米；

所述水膜溶液中H⁺离子的浓度小于等于3mol/L，且大于10^-7mol/L；水膜溶液的粘度为2~15厘泊。

2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述水膜溶液中H⁺离子的浓度为1~3mol/L，水膜溶液的粘度为8~10厘泊。

3.根据权利要求1所述的硅太阳能电池的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述水膜溶液由纯水和酸性物质组成，所述酸性物质选自无机酸、酸酐和强酸弱碱盐中的一种或几种；

所述无机酸选自盐酸、磷酸、硫代硫酸、偏磷酸、硼酸、亚硫酸、亚磷酸和硫酸中的一种或几种；

所述酸酐选自二氧化硫、三氧化硫、五氧化二磷和三氧化二硼中的一种或几种；

所述强酸弱碱盐选自NH₄Cl和（NH₄）₂SO₄中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的硅太阳能电池的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述水膜溶液由纯水和硫酸组成。

5.根据权利要求1所述的硅太阳能电池的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(2)中，硅片背面的刻蚀深度大于等于9微米。