[发明专利]一种旋转圆盘式MOCVD反应室的进气结构

摘要

本发明公开了一种旋转圆盘式MOCVD反应室的进气结构，包括气体注入顶板、磁流体驱动器、L型摆臂；气体注入顶板密封安装在MOCVD反应室顶部，L型摆臂有两个分别通过各自磁流体驱动器对称安装在气体注入顶板上，安装后L型摆臂的一直角边穿过气体注入顶板和磁流体驱动器，并垂直于托盘，另一直角边位于MOCVD反应室内，并与托盘平行，处于托盘上方；L型摆臂内设有反应气体注入通道，其一端为进气端，另一端为出气端，进气端依次穿过气体注入顶板和磁流体驱动器后接入反应气供气源。本发明能够使衬底表面各位置处得到的均匀的反应气体，从而促进衬底沉积组分一致、膜厚一致的半导体化合物膜。

主权项

一种旋转圆盘式MOCVD反应室的进气结构，其特征在于：包括有气体注入顶板、磁流体驱动器、L型摆臂；所述气体注入顶板密封安装在MOCVD反应室的顶部，所述L型摆臂有两个，分别通过各自相应的磁流体驱动器对称安装在气体注入顶板上，所述磁流体驱动器固定于气体注入顶板的上表面，安装后所述L型摆臂的一直角边穿过气体注入顶板和磁流体驱动器，并垂直于MOCVD反应室里的托盘，另一直角边位于MOCVD反应室内，并与托盘平行，且处于托盘上方，所述L型摆臂在磁流体驱动器的驱动下能绕垂直于托盘的轴线在设定范围内旋转；所述L型摆臂内设有反应气体注入通道，其一端为进气端，另一端为出气端，所述进气端依次穿过气体注入顶板和磁流体驱动器后接入反应气供气源，所述出气端的出气口向下朝向托盘。