[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201610549022.2 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106356288A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 高振宏;潘正圣;刘继文;陈敏璋;杨博轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件和制造方法，其中，使用照射的掩模材料形成具有减小的尺寸的部件。在实施例中，利用通过带电离子照射过的掩模材料来聚焦后续的照射工艺。在另一实施例中，照射掩模材料以使掩模材料再成型并且减小在掩模材料中形成的开口的尺寸。通过这样的工艺，可以避免光刻的限制并且可以实现更小的部件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：图案化衬底上方的第一掩模材料以具有第一开口，其中，所述第一掩模材料具有第一厚度并且所述第一开口具有小于所述第一厚度的第一深度；在图案化所述第一掩模材料之后，利用离子束照射所述第一掩模材料以形成照射的第一掩模材料；以及使用所述照射的第一掩模材料作为掩模来图案化所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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