[发明专利]红外线影像感测器组件及其制造方法有效
申请号: | 201610543221.2 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN106711161B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 吴建瑩;褚立新;曾仲铨;刘家玮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种红外线影像感测器组件及其制造方法。红外线影像感测器组件包含至少一III‑V族化合物层于半导体基板上,其中III‑V族化合物层自图案中曝露的部分作用为主动像素区以探测入射红外线。红外线影像感测器组件包含至少一晶体管耦接至主动像素区,且通过主动像素区产生的电荷被传送至晶体管。 | ||
搜索关键词: | 红外线 影像 感测器 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外线影像感测器组件,其特征在于,包含:一半导体基板;一主动像素区,配置于该半导体基板上,用于接收一红外线,其中该主动像素区由一III‑V族化合物材料组成;以及一晶体管,耦接至该主动像素区,其中该晶体管包含:一经掺杂的III‑V族化合物区;一栅极金属堆叠,配置在该经掺杂的III‑V族化合物区上;以及二欧姆金属接触点,配置于该栅极金属堆叠的相对侧,其中所述欧姆金属接触点的一者耦接至该主动像素区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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