[发明专利]透明导电薄膜、光电器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201610542566.6 申请日: 2016-07-11
公开(公告)号: CN107610802B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 方小红;徐一麟;王聪;尤莹;陈小源;万吉祥 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01B1/02;H01B1/06;H01B13/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种透明导电薄膜、光电器件及其制作方法,包括:目标结构;银纳米线薄膜层,位于目标结构表面;透明导电聚合物填充层,填充于银纳米线薄膜层内部的空隙,且覆盖银纳米线薄膜层。透明导电薄膜具有高导电性和高透过率的优点;通过对银纳米线薄膜层进行亲水处理使得透明导电聚合物填充层能够在其上均匀涂布;并且通过透明导电聚合物填充层与石墨烯薄膜的覆盖,在保证透明导电薄膜高透过率、高导电性的同时,有效地降低了其表面的粗糙度;同时所述透明导电薄膜还具备可弯曲特性,在柔性衬底上制备上述透明导电薄膜经过数次弯曲后,透过率与方块电阻均无明显变化,表现出替代ITO用于光电器件、尤其是应用于柔性光电器件的极大潜力。
搜索关键词: 透明 导电 薄膜 光电 器件 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜包括:目标结构;银纳米线薄膜层,位于所述目标结构表面,所述银纳米线薄膜层为表面经过热处理及亲水处理的银纳米线薄膜层,所述银纳米线薄膜层包括多个接触连接的银纳米线,不同的所述银纳米线呈堆叠交错分布,且堆叠的所述银纳米线的接触部分嵌入在一起;透明导电聚合物填充层,填充于所述银纳米线薄膜层内部的空隙,且覆盖所述银纳米线薄膜层;石墨烯薄膜,所述石墨烯薄膜位于所述透明导电聚合物填充层表面。
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