[发明专利]透明导电薄膜、光电器件及其制作方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括：

目标结构；

银纳米线薄膜层，位于所述目标结构表面，所述银纳米线薄膜层为表面经过热处理及亲水处理的银纳米线薄膜层；

透明导电聚合物填充层，填充于所述银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖所述银纳米线薄膜层。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述目标结构为目标衬底或具有功能器件的半导体结构。

3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述目标衬底为石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述银纳米线薄膜层包括多个接触连接的银纳米线。

5.根据权利要求4所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述银纳米线薄膜层中的所述银纳米线的长度为10μm～200μm，所述银纳米线的直径为20nm～100nm。

6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述透明导电聚合物填充层的材料包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸或其衍生物中的一种。

7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述透明导电薄膜还包括石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述透明导电聚合物填充层表面。

8.一种透明导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述透明导电薄膜的制作方法包括以下步骤：

1)提供一目标结构；

2)在所述目标结构上形成银纳米线薄膜层；

3)在步骤2)得到的结构表面形成透明导电聚合物填充层，所述透明导电聚合物填充层填充于所述银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖所述银纳米线薄膜层。

9.根据权利要求8所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤1)中，所述目标结构为目标衬底或具有功能器件的半导体结构。

10.根据权利要求9所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：所述目标衬底为石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

11.根据权利要求8所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，在所述目标结构上形成银纳米线薄膜层包括以下步骤：

2-1)提供银纳米线及溶剂，将所述银纳米线置于所述溶剂中得到银纳米线分散液；

2-2)采用浸渍提拉工艺、旋涂工艺、刮涂工艺、喷涂工艺、湿涂工艺、丝网印刷工艺、滚轮涂布工艺或板式涂布工艺在所述目标结构上制备包括多个接触连接的银纳米线的所述银纳米线薄膜层。

12.根据权利要求11所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：所述溶剂为乙醇、异丙醇或去离子水，所述银纳米线分散液的浓度为1mg/ml～20mg/ml。

13.根据权利要求8所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，还包括对所述银纳米线薄膜层进行热处理的步骤。

14.根据权利要求13所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：对所述银纳米线薄膜层进行热处理的温度为100℃～200℃，对所述银纳米线薄膜层进行热处理的时间为5分钟～10分钟。

15.根据权利要求8所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，还包括对所述银纳米线薄膜层的表面进行亲水处理的步骤。

16.根据权利要求15所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：采用二氧化钛溶胶对所述银纳米线薄膜层的表面进行亲水处理。

17.根据权利要求16所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：所述二氧化钛溶胶的分散介质为乙醇、异丙醇或去离子水；所述二氧化钛溶胶的浓度为0.01mol/L～0.1mol/L。