[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管，包括形成于衬底上的有源层，其中，所述有源层包括叠层设置的第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层的材料是原子比In/(Ga+Zn)为50％以下的铟镓锌氧化物，所述第二半导体层的材料是原子比In/(Ga+Zn)为55％以上的铟镓锌氧化物。本发明还公开了包含如上所述薄膜晶体管的阵列基板及其制备方法，该阵列基板可应用于液晶显示装置(LCD)或有机电致发光显示装置(OLED)中。如上所提供的薄膜晶体管，采用两层IGZO半导体材料作为有源层半导体，在满足薄膜晶体管的特性要求的同时，进一步提高IGZO有源层半导体的载流子迁移率。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括形成于衬底上的有源层，其特征在于，所述有源层包括依次叠层设置在所述衬底上的第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层的材料是原子比In/(Ga+Zn)为50％以下的铟镓锌氧化物，所述第二半导体层的材料是原子比In/(Ga+Zn)为55％以上的铟镓锌氧化物；其中，所述薄膜晶体管还包括栅电极、源电极、漏电极和氧保护层；所述衬底上形成有一缓冲层，所述有源层的第一半导体层和第二半导体层依次形成于所述缓冲层上，所述氧保护层覆设于所述第二半导体层上，所述氧保护层上依次形成有栅绝缘层和所述栅电极，所述栅电极上设置有绝缘介质层并且所述绝缘介质层覆盖所述衬底；所述源电极和漏电极形成于所述绝缘介质层上，所述源电极和漏电极分别通过设置于所述绝缘介质层中的过孔与所述有源层连接；其中，所述氧保护层覆盖所述有源层的中间区域，所述氧保护层的两侧裸露出所述有源层；应用离子注入工艺或等离子轰击工艺，将裸露出的有源层的第一半导体层和第二半导体层转化为导体，在所述有源层的一端形成源极连接部，另一端形成漏极连接部；所述源电极通过设置于所述绝缘介质层中的过孔连接到所述源极连接部，所述漏电极通过设置于所述绝缘介质层中的过孔连接到所述漏极连接部。