[发明专利]生长多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构的方法在审
| 申请号： | 201610538707.7 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106169505A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构的方法，包括以下步骤：在p型的硅片上生长5um的p型外延层，并形成n阱；在n阱之上沉积隔离氧化层，生长氮化硅；之后刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽；在隔离区上淀积氧化硅填充隔离槽；对所沉积的氧化硅进行抛光；去除氮化硅；形成耗尽层；在多晶硅栅的下凹槽上生长栅氧化层，并在栅氧化层之上生长多晶硅栅；形成侧墙。注入磷离子，以形成源极和漏极。本发明公开了一种特殊结构的P型MOS管，为了使得其适应大多数IC电路的使用规律，将其制作成为了耗尽型MOS管，以适应栅极加正极电压的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 多晶 过分 刻蚀 mos 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种生长多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在p型的硅片上生长5um的p型外延层，并以200KeV的能量注入磷离子以形成n阱；步骤2、在n阱之上沉积一层厚度为150nm的隔离氧化层，之后在隔离氧化层之上，以750℃的温度，使用低压化学气相沉积的方式生长一层氮化硅；之后使用干法例子刻蚀机刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽；步骤3、使用化学气相沉积的方式，在隔离区上淀积氧化硅填充隔离槽；步骤4、使用化学机械抛光的方式，对步骤3所沉积的氧化硅进行抛光；步骤5、将硅片进入热磷酸槽以去除氮化硅；步骤6、注入磷离子，形成耗尽层；步骤7、在多晶硅栅的下凹槽上生长一层厚度为2um～5um的栅氧化层，并在栅氧化层之上生长厚度为1000um的多晶硅栅；步骤8、在多晶硅栅之上沉积100nm厚度的二氧化硅，并进行刻蚀，形成侧墙。步骤9、注入磷离子，以形成源极和漏极；步骤6与步骤9所注入的离子浓度相同。
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