[发明专利]具有侧向光栅和纵向布喇格反射镜结构的半导体激光器有效
| 申请号： | 201610530775.9 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105914580B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李建军;廖翌如 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有侧向光栅和纵向布喇格反射镜结构的半导体激光器，沿激光器器件的垂直横向，包括上电级层、上接触层、电流阻挡层、上限制层、上波导层、有源层、下波导层、下限制层、衬底和下电级层；沿器件的纵向，包含增益谐振腔和后腔面分布反射镜，所述后腔面分布反射镜具有纵向布喇格反射镜结构DBR；沿器件的侧向，包括宽条电流注入侧向光栅区和电流限制区，所述宽条电流注入侧向光栅区，位于电流注入脊形区上。采用本发明的技术方案，既实现了半导体激光器的大功率输出，又能实现单模形式输出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧向 光栅 纵向 布喇格 反射 结构 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种具有侧向光栅和纵向布喇格反射镜结构的半导体激光器，其特征在于，沿激光器器件的垂直横向，包括上电级层(1)、上接触层(2)、电流阻挡层(3)、上限制层(4)、上波导层(5)、有源层(6)、下波导层(7)、下限制层(8)、衬底(9)和下电级层(10)；沿器件的纵向，包含增益谐振腔(131)和后腔面分布反射镜(132)，所述后腔面分布反射镜(132)具有纵向布喇格反射镜结构DBR(111)；沿器件的侧向，包括宽条电流注入侧向光栅区(112)和电流限制区(12)，所述宽条电流注入侧向光栅区(112)位于电流注入脊形区(11)上；其中，由宽条电流注入侧向光栅区(112)、具有DBR结构(111)的后腔面分布反射镜(132)以及上波导层(5)、有源层(6)、下波导层(7)实现大功率输出；由上限制层(4)、上波导层(5)、有源层(6)、下波导层(7)、下限制层(8)实现横向仅有基横模激射；由侧向光栅(112)实现侧向仅有基侧模激射；由纵向DBR结构(111)实现纵向仅有一个模式被选择激射；所述有源层(6)的结构可以为双异质结构、单双量子阱结构、多量子阱结构中的一种；在电流注入脊形区(11)上设有宽条电流注入侧向光栅区(112)，在纵向长腔上设有纵向布喇格反射镜结构，既能保存了半导体激光器的高功率输出，又通过在电流注入脊形区(11)上添加宽条电流注入侧向光栅区(112)和纵向长腔上添加后腔面分布反射镜(132)实现光谱的单模输出。
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