[发明专利]功率半导体器件有源区的制造方法

摘要

本发明涉及一种功率半导体器件有源区的制造方法，包括：在衬底上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成多晶硅栅极；在衬底内形成P阱；进行N+注入，在P阱内形成N+源区；在衬底和多晶硅栅极上形成注入阻挡介质；光刻并刻蚀掉多晶硅栅极上的注入阻挡介质，多晶硅栅极两侧残留的注入阻挡介质形成注入阻挡侧墙；以多晶硅栅极和注入阻挡侧墙为掩膜进行P+注入，向P阱内注入P型离子；在衬底和多晶硅栅极上淀积介质层；进行接触孔光刻及刻蚀，形成N+源区的接触孔。本发明能大大提高功率器件的雪崩能量EAS，又不会对器件的开启电压V_TH和导通电阻R_don产生明显的影响，在不影响器件常规参数的同时提高了器件在感性负载环境下工作的可靠性。

主权项

1.一种功率半导体器件有源区的制造方法，包括：在衬底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成多晶硅栅极；在所述衬底内形成P阱；进行N+注入，在所述P阱内形成N+源区；在所述衬底和多晶硅栅极上形成注入阻挡介质；光刻并刻蚀掉所述多晶硅栅极上的注入阻挡介质，所述多晶硅栅极两侧残留的注入阻挡介质形成注入阻挡侧墙；以所述多晶硅栅极和注入阻挡侧墙为掩膜进行P+注入，向所述P阱内注入P型离子；所述P+注入的注入剂量少于所述N+注入的注入剂量；在所述衬底和多晶硅栅极上淀积介质层；进行接触孔光刻及刻蚀，形成所述N+源区的接触孔；所述进行N+注入的步骤之后、所述在衬底和多晶硅栅极上形成注入阻挡介质的步骤之前，还包括以所述多晶硅栅极为掩膜进行P+注入，向所述P阱内注入P型离子的步骤；所述以多晶硅栅极为掩膜进行P+注入的步骤和所述以多晶硅栅极和注入阻挡侧墙为掩膜进行P+注入的步骤这两次P+注入的注入剂量之和小于所述N+注入的注入剂量。