[发明专利]一种新型的掩模等离子体刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610526312.5 | 申请日： | 2016-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN106449357A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 尤春;周家万;张鹏;王兴平;刘维维;沙云峰;王凤鸣 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 刘刚 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的掩模等离子体刻蚀方法，其包括以下步骤：S1、利用光刻胶掩模板对涂布在镀有铬金属膜的基板上的光刻胶层进行图案化处理，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；S2、以经过步骤S1图案化处理后的光刻胶层作为保护层，进行第一次干法刻蚀，去除金属铬膜；S3、使用去离子水进行清洗，去除掩模表面可能存在的残留颗粒；S4、使用SC‑1清洗液进行掩模清洗，确保残留颗粒去除彻底；S5、以图案化的光刻胶层作为保护层进行第二次干法刻蚀。本发明有效地避免了二元掩模制造过程中在干法刻蚀过程中因为残料颗粒掉落造成的掩模缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、利用光刻胶掩模板对涂布在镀有铬金属膜的基板上的光刻胶层进行图案化处理，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；S2、以经过步骤S1图案化处理后的光刻胶层作为保护层，进行第一次干法刻蚀，去除金属铬膜；S3、使用去离子水进行清洗，去除掩模表面可能存在的残留颗粒；S4、使用SC‑1清洗液进行掩模清洗，确保残留颗粒去除彻底；S5、以图案化的光刻胶层作为保护层进行第二次干法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
