[发明专利]一种高强度TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201610522959.0 申请日: 2016-07-04
公开(公告)号: CN105950933B 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 吴玉程;王爽;罗来马;昝祥;朱晓勇 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C32/00;C22C1/05
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 代理人: 乔恒婷
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高强度TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合材料及制备方法,其中高强度TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合材料的掺杂第二相为TiH2、TiC、Si以及B;各原料按质量百分比构成为TiH2 10‑15wt%,TiC 1.5wt%,Si 0.5‑1wt%,B 0.5‑1wt%,余量为W。本发明通过60~80小时的球磨,使得W和Ti极大程度的固溶,显著增强晶界结合力,Si和B能够与W形成弥散的中间相,且第二相分布更加均匀,钨晶粒被极大细化到亚微米级别,从而使硬度和抗拉强度得到显著提高,其硬度值达到Hv1130‑1160。
搜索关键词: 一种 强度 tic 掺杂 ti si 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种高强度TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合材料,其特征在于包括如下步骤:(1)球磨:将W粉、TiH2粉、Si粉、B粉以及TiC粉置于真空球磨罐中,在氩气气氛中球磨60~80小时,得到TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合粉体;球磨机的转速为400转/分,球磨罐和磨球的材质为WC,球料比为20:1;(2)烧结:将所述TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合粉体装入石墨模具,再将模具放入放电等离子烧结炉中,室温下对烧结炉抽真空至真空度为5‑10Pa,高温烧结得到TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合材料;所述TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合材料的掺杂第二相为TiH2、TiC、Si以及B;各原料按质量百分比构成为:TiH2 10‑15wt%,TiC 1.5wt%,Si 0.5‑1wt%,B 0.5‑1wt%,余量为W;所述高温烧结的参数设置如下:升温至600℃时充入氩气作为保护气,在600℃保温15min后升温至1300℃保温5min,随后再升温至1600℃保温3min,保温结束后降温到室温,即得到TiC掺杂W‑Ti‑Si‑B复合材料。
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