[发明专利]聚3-羧基噻吩/噻吩插层水滑石复合材料及其制备工艺有效
申请号: | 201610522930.2 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN106146809B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 刘晓磊 | 申请(专利权)人: | 淄博职业学院 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C08K9/04;C08K9/02;C08K3/26 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陈娟 |
地址: | 255314 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种聚3‑羧基噻吩/噻吩插层水滑石复合材料及其制备工艺,属于有机‑无机复合材料技术领域。所述材料的化学式为:[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(PTHC/TH)n‑x/n·mH2O,其中,x=0.25~0.33,n=5~35,m=2~4,m为层间结晶水分子的数量,PTHC/TH为聚3‑羧基噻吩/噻吩。所述的制备工艺是先制备水滑石前体,再将3‑羧基噻吩插层水滑石,最后使得3‑羧基噻吩和噻吩在水滑石层间发生原位聚合。该复合材料机械强度高、耐高温、耐腐蚀性气体、耐酸碱,在电容器、能源、新型电池等领域具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 羧基 噻吩 插层水 滑石 复合材料 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种聚3‑羧基噻吩/噻吩插层水滑石复合材料,其特征在于其化学式为:[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(PTHC/TH)n‑x/n·mH2O其中,x=0.25~0.33,n=5~35,m=2~4,m为层间结晶水分子的数量,M2+为二价金属离子,M3+为三价金属离子,PTHC/TH为聚3‑羧基噻吩/噻吩;M2+为Zn2+或Mg2+,M3+为Al3+;PTHC/TH的聚合度为15~100。
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