[发明专利]基于PD‑SOI工艺的高ESD耐受能力的输出结构

摘要

本发明涉及基于PD‑SOI工艺的高ESD耐受能力的输出结构，包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2和PMOS管P1，当输出结构用在输出端口时，第一NMOS管N1的漏端和PMOS管P1的漏端与输出端口相连，PMOS管P1的源端与电源相连，第一NMOS管N1的源端与第二NMOS管N2的漏端相连，第二NMOS管N2的源端与地相连，PMOS管P1、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的衬底分别与各自的源端相连，NMOS管的栅极通过前级驱动偏置。本发明使用SOI工艺中普通的NMOS管，在ESD到来时使用栅控二极管等ESD保护器件泄放电流，输出NMOS管不易损伤，提高了电路输出的ESD保护的能力。

主权项

基于PD‑SOI工艺的高ESD耐受能力的输出结构，其特征在于：所述输出结构包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2和PMOS管P1，当所述输出结构用在输出端口(3)时，第一NMOS管N1的漏端(8)和PMOS管P1的漏端(7)与输出端口(3)相连，PMOS管P1的源端(6)与电源(1)相连，第一NMOS管N1的源端(9)与第二NMOS管N2的漏端(10)相连，第二NMOS管N2的源端(11)与地(2)相连，PMOS管P1、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的衬底分别与各自的源端相连，第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的栅极(5)相连并与PMOS管P1的栅极(4)均通过前级驱动(19)偏置。