[发明专利]一种高压发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种高压发光二极管芯片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：在衬底上形成N型层、有源层和P型层；开设延伸至衬底的隔离槽；在P型层上和隔离槽内形成设定图形的绝缘层；在绝缘层和P型层上、以及隔离槽内形成透明导电层；在透明导电层上形成设定图形的光刻胶；利用光刻胶形成设定图形的透明导电层；利用光刻胶形成延伸至N型层的凹槽；利用光刻胶在绝缘层内形成通孔；剥离光刻胶；在透明导电层、以及通孔、凹槽和隔离槽内形成钝化层；在钝化层上形成设有通孔的光刻胶；利用光刻胶在钝化层内形成通孔；在光刻胶、透明导电层、P型层和N型层上形成电极；剥离光刻胶及光刻胶上形成的电极。本发明降低了制造成本。

主权项

1.一种高压发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底上依次形成N型层、有源层和P型层；采用光刻工艺在所述P型层上开设至少一个从所述P型层延伸至所述衬底的隔离槽；采用光刻工艺在所述P型层上和所述隔离槽内形成设定图形的绝缘层；在所述绝缘层和所述P型层上、以及所述隔离槽内形成透明导电层；采用光刻工艺在所述透明导电层上形成设定图形的光刻胶；利用所述设定图形的光刻胶形成设定图形的所述透明导电层；利用所述设定图形的光刻胶形成从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽；利用所述设定图形的光刻胶在所述绝缘层内形成从所述绝缘层延伸至所述P型层的通孔；剥离所述设定图形的光刻胶；在设定图形的所述透明导电层、以及所述绝缘层内的通孔、所述凹槽和所述隔离槽内形成钝化层；采用光刻工艺在所述钝化层上形成设有通孔的光刻胶；利用所述设有通孔的光刻胶在所述钝化层内形成通孔，所述绝缘层内的通孔、所述钝化层内的通孔、以及所述设有通孔的光刻胶内的通孔连通；在所述设有通孔的光刻胶上形成电极，并通过所述设有通孔的光刻胶内的通孔和所述钝化层内的通孔在设定图形的所述透明导电层、所述P型层和所述N型层上形成电极；剥离所述设有通孔的光刻胶及所述设有通孔的光刻胶上形成的电极，得到设定图形的电极。