[发明专利]二极管用外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610498574.5 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106098748B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 王东盛;朱廷刚;李亦衡;张葶葶;王科;李仕强;张子瑜 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;徐伟华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片包括衬底以及沿其厚度方向依次覆盖在所述衬底一侧面上的GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的AlGaN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的二极管电子器件的漏电较低、使用寿命长，提高了表面层的势垒高度，并使反向击穿电压显著提高同时还不会导致正向导通电压升高。 | ||
| 搜索关键词： | 二极 管用 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管用外延片，其特征在于，由依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层、AlGaN帽层组成，所述的AlGaN帽层覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在所述GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度，在所述AlGaN帽层的生长过程中，其中的Al的摩尔浓度是渐变的，由生长开始时的含量为0，至生长结束时达到15%。
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