[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置有效
| 申请号： | 201610495773.0 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107293477B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 竹田刚;菊池俊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置。在衬底面内形成均匀的膜。具有将衬底向处理室搬送的工序、成膜工序和调整工序，其中成膜工序具有：将第1气体向上述衬底供给的工序；和将第2气体以第1高频等离子化之后向衬底供给的工序，调整工序具有：在成膜工序后计测衬底的带电情况、并基于计测出的带电情况来设定第2高频的工序；和将第3气体以第2高频等离子化之后向衬底供给来调整衬底的带电情况的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有将衬底向处理室搬送的工序、成膜工序和调整工序，其中所述成膜工序具有：将第1气体向所述衬底供给的工序；和将第2气体以第1高频等离子化之后向所述衬底供给的工序，所述调整工序具有：在所述成膜工序后计测所述衬底的带电情况、并基于该计测出的带电情况来设定第2高频的工序；和将第3气体以该第2高频等离子化之后向所述衬底供给来调整所述衬底的带电情况的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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