[发明专利]激光退火装置有效
申请号: | 201610495085.4 | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN106449356B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 李洪鲁;李忠焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/677 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种激光退火装置包括:接收具有非晶硅层的基板的基板支撑件;将线激光束照射到设置于基板支撑件上的基板上的激光束照射单元;以及在第一方向以及与第一方向相交的第二方向上移动基板支撑件、并在由第一方向和第二方向限定的第一平面内旋转基板支撑件的基板传输单元。基板传输单元在第一平面内将基板支撑件旋转小于约90度的角度θ,并基本同时在第一方向和第二方向二者上移动基板支撑件。激光束照射单元在基板传输单元移动基板支撑件时将线激光束多次照射到设置于基板支撑件上的基板上。 | ||
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【主权项】:
一种激光退火装置,包括:基板支撑件,被配置为接收具有非晶硅层的基板;激光束照射单元,被配置为将线激光束照射到被设置在所述基板支撑件上的所述基板上,其中所述线激光束在第一方向上延伸;以及基板传输单元,被配置为在所述第一方向上以及在与所述第一方向相交的第二方向上移动所述基板支撑件,并在由所述第一方向和所述第二方向限定的第一平面内旋转所述基板支撑件,其中所述基板传输单元被配置为在所述第一平面内将所述基板支撑件旋转小于90度的角度θ,并在所述基板支撑件被旋转所述角度θ的状态下同时在所述第一方向和所述第二方向二者上移动所述基板支撑件,其中所述激光束照射单元被配置为在所述基板传输单元移动所述基板支撑件时将所述线激光束多次照射到被设置在所述基板支撑件上的所述基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造