[发明专利]等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法

摘要

本发明公开一种等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法，该等离子增强化学气相淀积设备，至少包括射频电源和等离子体增强化学气相淀积腔室，其中，等离子体增强化学气相淀积腔室具有上盖、进气管、进气嘴、进气口、匀气室、腔室外壳和载片下电极。进气口位于上盖中并与下方的匀气室相连通，进气管通过进气嘴与进气口相连通，射频电源的一端与载片下电极相连接，另一端接地，进气管、进气嘴、上盖、和匀气室均接地。本发明不仅避免了进气处粉末的产生，而且可灵活地应用于需要增加薄膜与衬底粘附性和不希望产生晶格损伤等各种不同的场合。

主权项

1.一种等离子增强化学气相淀积设备，至少包括射频电源和腔室，其中所述腔室具有上盖、进气管、进气嘴、进气口、匀气室、腔室外壳和载片下电极，其中，进气口位于上盖中并与下方的匀气室相连通，进气管通过进气嘴与进气口相连通，其特征在于，所述射频电源的一端与所述载片下电极相连接，另一端接地，所述进气管、所述进气嘴、所述上盖、和所述匀气室均接地，还包括电感器和开关，所述开关与所述电感器串联，所述电感器的一端与所述载片下电极相连接，所述电感器的另一端接地。