[发明专利]气体注入装置、其制作方法及其应用的等离子处理装置有效
| 申请号： | 201610486288.7 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546093B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘季霖;张洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有气体注入装置的等离子体处理装置，所述反应气体注入装置，包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端靠近基片支撑装置，包括若干气体扩散通道；通过在所述绝缘外壳内表面设置一导体内衬，并在等离子体处理工艺中实现对该导体内衬的接地处理，使得导体内衬形成一接地的电磁屏蔽，将射频功率源产生的射频电场屏蔽在气体注入器外部，避免了气体注入器内放电产生等离子体对气体注入器内表面造成的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 注入 装置 制作方法 及其 应用 等离子 处理 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其中，包括：反应腔体，包括由顶板及反应腔侧壁围成的反应腔，所述顶板构成绝缘材料窗；基片支撑装置，其设置于所述反应腔内的所述绝缘材料窗下方；射频功率发射装置，其设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述反应腔内；反应气体注入器，包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端靠近基片支撑装置，包括若干气体扩散通道；所述绝缘外壳内表面设置一导体内衬，所述导体内衬包括一底壁，所述底壁设置一下沉式锥形结构，所述导体内衬在等离子体处理工艺过程中接地。
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