[发明专利]一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层。本发明通过对Si衬底500‑850℃高温热处理，并且在500‑750℃生长GaAs低温缓冲层，在600‑750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。

主权项

一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述GaAs低温缓冲层的厚度为80‑100 nm，掺杂浓度为1E17‑6E18个原子/cm3，所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.6um ‑3um，掺杂浓度为1E17‑6E18个原子/cm3；AlGaAs背场层采用AlXGa1‑XAs材料，X的取值范围为0‑0.5；AlGaAs窗口层采用AlYGa1‑YAs材料，Y的取值范围为0.5‑1。