[发明专利]一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610474749.9 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN106098745B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;陈朝夕 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法，该晶体的整体结构自基底向上层依序包括：硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5)，所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。与现有技术相比，本发明极大地降低了波导的损耗，波导性能优良；使LNOI材料形成电流回路起到了很重要的便利作用，显著提高了LNOI材料形成光学或微电子学器件的可行性；本发明将直接推动基于LNOI平台的集成光路和器件向实用化方向迈进，可为下一代光电混合集成芯片的研发提供支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 lnoi 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内嵌双层膜的LNOI晶片，其特征在于，该晶片的整体结构自基底向上依序包括：硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5)，所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。
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