[发明专利]一种微结构硅基材料及其制作方法、半导体器件在审

专利信息
申请号: 201610473087.3 申请日: 2016-06-24
公开(公告)号: CN106082112A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 杨海贵;李强;高劲松;刘小翼;王延超;李资政;王笑夷 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供一种微结构硅基材料及其制作方法、半导体器件,制作方法包括提供硅片及微球溶液;将微球溶液采用自组装方式制作为微球模板;将微球模板转移至硅片表面,进行退火热处理;以微球作为掩膜,并采用反应离子束刻蚀工艺刻蚀硅片,再清洗后镀膜,形成金属纳米锥状微结构。本发明提供的制作方法中,首先,采用自组装方式得到微球模板作为掩膜,相对于现有技术中采用专门制作掩膜的工艺制作得到的掩膜而言,本发明提供的掩膜制作方法简单,且成本较低;其次,本发明提供制作方法中采用相对廉价的反应离子束刻蚀工艺对硅片进行刻蚀,相对于现有技术中的聚焦离子束刻蚀工艺、电子束曝光和激光直写等微纳加工方法,工艺简单,且成本也较低。
搜索关键词: 一种 微结构 基材 料及 制作方法 半导体器件
【主权项】:
一种微结构硅基材料的制作方法,其特征在于,包括:提供硅片以及微球溶液;清洗所述硅片;将所述微球溶液采用自组装方式制作形成单层有序排列的微球模板;将所述微球模板转移至所述硅片表面,并对所述硅片进行退火热处理;以所述微球模板中的微球为掩膜,利用反应离子束刻蚀工艺刻蚀所述硅片,以在所述硅片表面形成硅基纳米锥状微结构;对经过刻蚀后的硅片进行去球清洗,以去除刻蚀后残留的微球;对所述硅片的刻蚀表面进行镀膜,以形成表面带有金属纳米锥状微结构的硅基材料。
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