[发明专利]一种嵌入式封装结构有效
申请号: | 201610465118.0 | 申请日: | 2016-06-24 |
公开(公告)号: | CN106024657A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 高国华 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 陈姗姗 |
地址: | 226006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种嵌入式封装结构,包括基板,配置用于封装晶圆,基板中设有可供晶圆嵌入的腔体;腔体的下方设有第一金属焊盘,第一金属焊盘与晶圆之间通过第一金属通孔连通;腔体的上方设有铜箔,铜箔与第一金属焊盘之间通过第二金属通孔连通,铜箔的上方设有第二金属焊盘,第二金属焊盘与铜箔之间通过第三金属通孔连通;第一金属通孔、第一金属焊盘、第二金属通孔、铜箔、第三金属通孔和第二金属焊盘通过层压固定设置在所述基板中。本发明的嵌入式封装结构更加轻、薄及紧凑。 | ||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种嵌入式封装结构,所述结构包括:基板,配置用于封装晶圆,所述基板中设有可供所述晶圆嵌入的腔体;所述腔体的下方设有第一金属焊盘,所述第一金属焊盘与所述晶圆之间通过第一金属通孔连通;所述腔体的上方设有铜箔,所述铜箔与所述第一金属焊盘之间通过第二金属通孔连通,所述铜箔的上方设有第二金属焊盘,所述第二金属焊盘与所述铜箔之间通过第三金属通孔连通;所述第一金属通孔、所述第一金属焊盘、所述第二金属通孔、所述铜箔、所述第三金属通孔和所述第二金属焊盘通过层压固定设置在所述基板中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造