[发明专利]一种混合型高压增强型器件结构及其封装件在审
| 申请号： | 201610458471.6 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107527897A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 姜元祺 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/11 | 分类号： | H01L25/11;H01L29/778;H01L23/49 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种混合型高压增强型器件结构及其封装件，所述混合型高压增强型器件结构包括低压增强型晶体管及高压耗尽型晶体管，所述低压增强型晶体管的源端与所述高压耗尽型晶体管的栅端共同连接于源极输出端；所述低压增强型晶体管的栅端连接于栅极输出端；所述高压耗尽型晶体管的漏端连接于漏极输出端；所述高压耗尽型晶体管的源端与所述低压增强型晶体管的漏端相连。本发明用于解决现有技术中传统的工艺很难获得高可靠性的高压增强型晶体管且制作工艺要求高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 高压 增强 器件 结构 及其 封装 | ||
【主权项】：
一种混合型高压增强型器件结构，其特征在于，所述混合型高压增强型器件结构包括：低压增强型晶体管及高压耗尽型晶体管，所述低压增强型晶体管的源端与所述高压耗尽型晶体管的栅端共同连接于源极输出端；所述低压增强型晶体管的栅端连接于栅极输出端；所述高压耗尽型晶体管的漏端连接于漏极输出端；所述高压耗尽型晶体管的源端与所述低压增强型晶体管的漏端相连。
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