[发明专利]调节碳化硅单晶生长温度的方法在审
| 申请号： | 201610452999.2 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105970285A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 袁玉平;闫鹏;袁佳斌 | 申请（专利权）人： | 江苏拜尔特光电设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 丁骞 |
| 地址： | 214264 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种调节碳化硅单晶生长温度的方法，它包括使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；使感应线圈固定不动；通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。本发明温度变化稳定，产品质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 碳化硅 生长 温度 方法 | ||
【主权项】：
调节碳化硅单晶生长温度的方法，其特征在于：它包括以下步骤，（1）使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；（2）通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；（3）使感应线圈固定不动；（4）通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏拜尔特光电设备有限公司，未经江苏拜尔特光电设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610452999.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法
- 下一篇：利用电解对铝型材进行着色的方法
