[发明专利]一种C/C基体表面制备碳化硅涂层的方法在审
| 申请号： | 201610452613.8 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107522507A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 范佳晨;赵云龙;徐丹;徐凯;徐再;赵维达 | 申请（专利权）人： | 张家港市山牧新材料技术开发有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C04B35/52 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人： | 陆华君 |
| 地址： | 215625 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种C/C基体表面制备碳化硅涂层的方法，包括步骤(1)、C/C基体表面打磨、超声清洗并干燥；(2)、将C/C基体包埋在硅粉、石墨粉和MoSi2的混合粉末中进行热处理；(3)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒，在C/C基体表面得到碳化硅涂层。本发明通过引入MoSi2，减少了涂层的裂纹，并且提高了涂层的致密性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基体 表面 制备 碳化硅 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种C/C基体表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，包括步骤：(1)、C/C基体表面打磨、超声清洗并干燥；(2)、将C/C基体包埋在硅粉、石墨粉和MoSi2的混合粉末中进行热处理；(3)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒，在C/C基体表面得到碳化硅涂层。
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