[发明专利]一种低温外延方法及装置

摘要

本发明提供一种低温外延方法及装置，所述方法包括如下步骤S1提供一基片，所述基片包括基底及突出于所述基底表面的至少一条半导体鳍片；S2在所述半导体鳍片的侧壁及上表面外延生长外延层；S3采用经过紫外光照射而裂解的刻蚀气体对所述外延层进行刻蚀，以减薄所述外延层的厚度。本发明的低温外延方法在外延生长过程中通过刻蚀来减薄外延层，可以改善半导体鳍片表面外延层的表面轮廓，避免相邻半导体鳍片表面外延层之间的融合，或者减小外延层融合后所产生的空隙。其中，紫外光照射刻蚀气体的方式可以提高刻蚀气体对外延层的刻蚀速率，并降低刻蚀外延层时的工艺温度，从而扩大工艺窗口，降低工艺难度。

主权项

一种低温外延方法，其特征在于，所述低温外延方法包括如下步骤：S1：提供一基片，所述基片包括基底及突出于所述基底表面的至少一条半导体鳍片；S2：在所述半导体鳍片的侧壁及上表面外延生长外延层；S3：采用经过紫外光照射而裂解的刻蚀气体对所述外延层进行刻蚀，以减薄所述外延层的厚度。