[发明专利]一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201610435517.2 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105932120A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 徐亮;何键云 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，对发光结构进行刻蚀，形成第一通孔，并在第一通孔侧壁形成具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 侧壁 dbr led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，包括： 提供第一衬底；在所述第一衬底上形成发光结构，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第一通孔和形成贯穿所述P型氮化镓层和有源层的第二通孔；在所述P型氮化镓层表面及第一通孔和第二通孔的侧壁形成DBR层；对所述P型氮化镓层表面的DBR层进行图形化刻蚀，漏出发光区域；在所述P型氮化镓层表面及P型氮化镓层上的DBR层表面形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层表面形成P型电极，在所述第二通孔内填充金属层形成N型电极。
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