[发明专利]一种防顶伤倒装LED芯片在审
申请号: | 201610425828.0 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN107516702A | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 徐亮;何键云 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种防顶伤倒装LED芯片,包括衬底、发光结构、第一绝缘层,第一N型电极、第二绝缘层、第二N型电极和P型电极,其中,第一N型电极位置错开了芯片在封装时第一N型电极与顶针接触的位置,第一N型电极具有图形化隔离,防止在封装过程中顶针将绝缘层顶穿而导致的P、N电极导通造成的短路,提高芯片在封装时的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 防顶伤 倒装 led 芯片 | ||
【主权项】:
一种防顶伤倒装LED芯片,包括:衬底;发光结构,所述发光结构位于所述衬底表面包括:位于所述衬底表面的N型氮化镓层,位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层,位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层,位于所述P型氮化镓层背离所述N型氮化镓层一侧的金属反射层;第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述金属反射层背离所述P型氮化镓层一侧;第一N型电极,所述第一N型电极位于所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧,并贯穿所述第一绝缘层和所述发光结构并延伸至所述N型氮化镓层表面,且所述第一N型电极不在芯片封装时与顶针接触的位置上;第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述N型电极及所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧;第二N型电极,所述第二N型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧,贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第一N型电极表面;P型电极,所述P型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧,贯穿所述第二绝缘层、第一绝缘层和发光结构并延伸至所述P型氮化镓层表面。
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