[发明专利]一种防顶伤倒装LED芯片

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域，尤其是涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

LED作为新一代的固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。

传统LED芯片一般为蓝宝石衬底，散热性能较差，容易使发生漏电、光衰严重、电压高等问题，严重影响LED芯片的可靠性能。

倒装LED芯片和传统LED芯片相比，具有电流分布均匀、散热好、电压降低、效率高等优点。倒装LED芯片在封装使用过程中，芯片的正面需翻转朝下，通过顶针直接作用在倒装LED芯片的金属电极上，因此，如图1所示，顶针容易把金属电极和绝缘层顶伤，造成倒装LED芯片短路和漏电等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种防顶伤倒装LED芯片， 以解决现有技术中顶针顶伤倒装LED芯片的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种防顶伤倒装LED芯片，包括：

衬底；

发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述N型氮化镓层一侧的金属反射层；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述金属反射层背离所述P型氮化镓层一侧；

第一N型电极，所述第一N型电极位于所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧，并贯穿所述第一绝缘层和所述发光结构并延伸至所述N型氮化镓层表面，且所述第一N型电极不在芯片封装时与顶针接触的位置上；

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述N型电极及所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧；

第二N型电极，所述第二N型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第一N型电极表面；

P型电极，所述P型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层、第一绝缘层和发光结构并延伸至所述P型氮化镓层表面。

优选的，所述第一N型电极的数量大于等于2。

优选的，所述第二N型电极的数量少于等于所述第一N型电极的数量。

优选的，所述第一N型电极具有图形化隔离。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明提供的一种防顶伤倒装LED芯片，第一N型电极位置错开了芯片在封装时第一N型电极与顶针接触的位置，第一N型电极具有图形化隔离，防止在封装过程中顶针将绝缘层顶穿而导致的P、N电极导通造成的短路，提高芯片在封装时的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中倒装LED芯片的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种防顶伤倒装LED芯片的结构示意图。

具体实施例

正如背景技术所述，现有技术中的倒装LED芯片在封装过程中顶针容易把金属电极和绝缘层顶伤，造成倒装LED芯片短路和漏电等问题。

基于此，本发明提供了一种防顶伤倒装LED芯片，以克服现有技术存在的上述问题，包括：

衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述N型氮化镓层一侧的金属反射层；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述金属反射层背离所述P型氮化镓层一侧；第一N型电极，所述第一N型电极位于所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧，并贯穿所述第一绝缘层和所述发光结构并延伸至所述N型氮化镓层表面，且所述第一N型电极不在芯片封装时与顶针接触的位置上；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述N型电极及所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧；第二N型电极，所述第二N型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第一N型电极表面；P型电极，所述P型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层、第一绝缘层和发光结构并延伸至所述P型氮化镓层表面。