[发明专利]一种防漏蓝芯片在审
| 申请号： | 201610414577.6 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105957948A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 何键云 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防漏 芯片 | ||
【主权项】：
一种防漏蓝芯片，包括：衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；绝缘层，所述绝缘层位于所述第一通孔的侧壁；金属反射层，所述金属反射层位于所述第一通孔的侧壁；电极结构，所述电极结构包括：位于所述N型氮化镓层表面的N型电极和位于所述P型氮化镓层表面的P型电极。
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