[发明专利]GaN和其他III-V族材料的原子层蚀刻

摘要

本发明涉及GaN和其他III‑V族材料的原子层蚀刻。本文提供了去除例如氮化镓(GaN)之类的III‑V族材料的ALE方法和相关装置。在一些实施方式中，所述方法涉及将III‑V族材料暴露于含氯等离子体而没有给衬底施加偏置以形成经修改的III‑V族表面层；以及施加偏置电压至衬底，同时将经修改的III‑V族表面层暴露于等离子体，由此去除经修改的III‑V族表面层。所公开的方法适用于广泛范围的应用，包括用于沟槽和孔的蚀刻工艺、HEMT的制造、LED的制造以及在蚀刻工艺中的改进的选择性。

主权项

一种蚀刻衬底上的III‑V族材料的方法，所述方法包括：a)在没有给所述衬底施加偏置的情况下使所述III‑V族材料暴露于含氯等离子体以形成经修改的III‑V族表面层；以及b)在使所述经修改的III‑V族表面层暴露于惰性等离子体的同时，给所述衬底施加偏置电压，从而去除所述经修改的III‑V族表面层。