[发明专利]一种场效应管MOS器件

摘要

本发明提供了一种场效应管MOS器件，包括P型衬底、设置于P型衬底上的第一P阱区和多晶硅层，其中多晶硅层形成为沿第一方向的第一中心线相对称的结构；相对于第一中心线，多晶硅层包括位于第一中心线两侧的第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二部分之间的第三部分，其中第一部分覆盖于第一场氧层上，第二部分覆盖于第二场氧层上；第三部分与P型衬底之间形成第一栅氧层；该MOS器件还包括分别设置于多晶硅层两侧且关于第一中心线对称分布、位于P型衬底上的第一N阱区和第二N阱区，其中第一场氧层位于第一N阱区上，第二场氧层位于第二N阱区上；本发明解决了当栅极接入高电压后，场氧寄生器件也会被导通，影响预期功能的问题。

主权项

一种场效应管MOS器件，其特征在于，包括：P型衬底、设置于所述P型衬底上的第一P阱区和多晶硅层，其中所述多晶硅层形成为沿第一方向的第一中心线相对称的结构；相对于所述第一中心线，所述多晶硅层包括位于所述第一中心线两侧的第一部分、第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，其中所述第一部分覆盖于第一场氧层上，所述第二部分覆盖于第二场氧层上；所述第三部分与所述P型衬底之间形成第一栅氧层；所述MOS器件还包括：分别设置于所述多晶硅层两侧且关于所述第一中心线对称分布、位于所述P型衬底上的第一N阱区和第二N阱区，其中所述第一场氧层位于第一N阱区上，所述第二场氧层位于所述第二N阱区上；关于所述第一中心线对称分布的第一N型重掺杂区域、第二N型重掺杂区域，所述第一N型重掺杂区域位于所述第一N阱区内并与所述第一场氧层连接，所述第二N型重掺杂区域位于所述第二N阱区内并与所述第二场氧层连接。