[发明专利]静电除尘用高频高压变压器优化设计方法有效

专利信息
申请号: 201610390088.1 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN106096106B 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 曾庆军;魏月 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G06N3/00;G06N3/12
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212003 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种静电除尘用高频高压变压器优化设计方法,选取合适的磁芯,针对高频变压器的特性,在高频高压变压器设计方法的基础上将粒子群与遗传算法相结合,以变压器匝比以及波形的占空比为优化变量,以输出损耗为优化目标对变压器进行优化设计。本发明采用遗传粒子群算法,即在粒子群算法的基础上将遗传算法的选择算法、交叉操作以及变异操作引入到粒子群算法中,此算法迭代过程简单,具有容易理解、易于实现、收敛速度较快、效率更优等优点。
搜索关键词: 静电 除尘 高频 高压 变压器 优化 设计 方法
【主权项】:
1.一种静电除尘用高频高压变压器优化设计方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)根据设计任务确定变压器技术参数;(2)谐振参数分析,谐振参数的选取应满足fs<1/2fr,式中fs为开关频率,fr为谐振固有频率,Ce=(CpCs)/(Cs+Cp),Ls为漏感,Cp为分布电容,Cs为串联谐振电容,电源工作于电流断续模式;(3)由下式计算面积积Ap值:式中K为波形系数,D为整周期占空比,为了使Ap值满足最大要求,取D为最大值,D=1;Ku为窗口利用系数,取值范围为0.2‑0.4,J为电流密度,经验值为150‑400A/cm2;f为工作频率;Bm为最大磁通密度,取Aw为整个磁芯窗口面积;Ae为有效截面积;(4)选择磁芯材料,为德国VAC公司型号为Vitroperm500的超微晶合金;(5)计算匝比理论值式中Up‑min为一次侧输入电压的额定最小值,Us为二次侧输出电压,Up为一次侧输入电压;(6)采用遗传粒子群算法,以变压器损耗为优化目标,以匝比和占空比为优化变量,若优化结果与目标效率相符,则继续下一步,否则重新进行优化,优化函数可由下式简单表示:式中Ploss(n,D)为变压器的损耗表达式;n为变压器原副边匝比;D为波形的占空比;所述遗传粒子群算法,具体步骤如下:①粒子群初始化:初始化粒子群的迭代次数G,粒子维数n,群体规模m;②初始化粒子的位置和速度:创建m行n列的位置矩阵pop,并将其赋值在0到1之间,每一行代表一个粒子,第一列代表匝比,第二列代表占空比,第三列代表变压器损耗,并使MinX(j)≤pop(i,j)≤MaxX(j),其中1≤i≤m,1≤j≤n,MinX(j)为第j列变量对应的最小值,MaxX(j)为第j列变量对应的最大值;同时创建一个m行n列的速度矩阵v,值为[0,0.02];并将粒子的当前位置pop(i,j)初始化为粒子自身的最优位置ibest,根据粒子的初始位置用适应度函数求出所有粒子的适应度值,找出适应度最优的粒子位置,将其作为粒子群全局最优位置的初值gbest;③粒子适应度计算:随着粒子群更新迭代的进行,用适应度函数求出更新之后粒子的适应度值,将适应度值的优劣作为粒子更新的依据;④轮盘赌选择:随机生成一个行数r,1≤r≤m,则将pop矩阵的第r行选择生成新的m行n列的矩阵newpop中进行下面的交叉变异操作;⑤交叉操作:选择一个交叉概率pc,取值范围为[0.4,0.9],当随机生成的概率小于pc时则进行交叉操作,矩阵newpop的第m行赋值为全局最优值gbest;⑥变异操作:选择合适的变异概率pm,取值范围为[0.01,0.1],当随机产生的概率小于此概率时则粒子进行变异,即将其值变为随机值,矩阵newpop的第m行赋值为全局最优值gbest;⑦更新粒子自身的最优位置ibest和粒子群全局最优位置gbest:计算并判断更新之后粒子的适应度值,若其值优于粒子在自身最优位置ibest处所取得的适应度值,则将ibest更新为当前粒子的位置,否则不更新;若其值优于在粒子群全局最优位置gbest处所取得的适应度值,则将gbest更新为当前粒子位置,否则不更新;⑧更新粒子位置和速度:按照下列的粒子群的速度和位置更新公式,更新粒子的速度和位置,并将其值约束在限值范围之内;v(i,:)=w*v(i,:)+c1*r1*(ibest(i,:)‑pop(i,:))+c2*r2*(gbest‑pop(i,:))pop(i,:)=pop(i,:)+0.3*v(i,:)其中w为惯性权重因子,用来控制当前粒子速度对下一代粒子更新的影响,w越大,影响越大,粒子的更新的速度越快,群体较活跃,有利于全局寻优;反之,速度更新慢,有利于局部寻优;c1、c2称为正的加权常数,用来控制粒子向自身最优位置ibest以及全局最优位置gbest靠近的速度,取c1=c2=2;r1、r2为[0,1]上的常数,每次迭代时都会随机产生;式中的pop(i,:)、v(i,:)分别为pop矩阵和v矩阵第i行的所有元素,1≤i≤m;⑨判断是否满足终止条件,满足则停止迭代,否则继续;(7)利用(6)中优化得到的变压器原副边匝比,确定原副边匝数,n2=n×n1,n1、n2分别为原、副边匝数;(8)主绝缘结构设计,采用油浸式变压器,其主绝缘采用变压器油作为绝缘材料,采用油屏蔽绝缘结构;由式求出变压器铁芯的窗口宽度Lw,以及变压器的体积Vc;其中L1为原边绕组与磁芯之间的绝缘距离,L2为原边绕组每层厚度,L3为变压器原边副边绝缘距离,L4为副边绕组每层厚度,n2c为副边的绕组层数,L5为变压器副边到副边的绝缘距离,Ac为变压器的几何截面积,h1表示磁芯窗口高度;(9)计算绕组线规,原边绕组的裸导线截面积Sp=Ip/J,原边的铜箔的高度副边绕组的裸导线截面积次级导线线径其中Is为副边电流;原边电流Ip=IS×n;dp为铜箔厚度;(10)验证磁芯窗口面积能否满足式Spn1+Ssn2≤0.2Di2要求,若满足,继续下一步,否则回到(9)重新计算;其中Di表示磁芯窗口宽度;(11)计算绕组铜损,由式Pcu=2(Pp‑cu+Ps‑cu)计算绕组铜损;其中kp‑s、kp‑x分别表示原边绕组的集肤效应系数与邻近效应系数,ks‑s、ks‑x分别表示副边绕组的集肤效应系数与邻近效应系数,ρ为电阻率,δ为集肤效应穿透深度,r0为导线半径,r0=dp/1.772,r1=ds/2,Δ0=dp/δ,Δ1=ds/δ,la‑p、la‑s表示原副边绕组的平均匝长,Rac‑p、Rac‑s分别表示原副边绕组的交流电阻,Pp‑cu、Ps‑cu分别表示原副边绕组的铜耗,Pcu为绕组铜损;(12)计算磁芯损耗式中磁芯密度ρcore=7.2g/cm3,Vc为变压器体积,k、α、β为经验系数,D1/2为半周期的占空比;(13)依据效率公式验证效率η是否大于等于80%,若满足,继续下一步,否则回到(1)重新计算,其中Po为输出功率,PΣ为变压器总损耗,P=Pcu+PFe;(14)确定变压器的分布参数以及串联谐振电容,判断其是否满足(2)中的频率要求,若满足,则继续下一步,否则回到(1)重新计算;(15)变压器温升及散热计算,温升近似为若满足,则继续下一步,否则回到(1)重新计算;其中PΣ为变压器总损耗;Kk为传热系数,St为变压器的总表面积;(16)短路阻抗计算,短路阻抗为短路阻抗为百分值,在9%‑10.5%,则满足要求,若满足,则继续下一步,否则回到(1)重新计算;其中W初级绕组总匝数,I为初级绕组额定电流,K为附加电抗系数,可查表得,ρ为洛氏系数,et为高低压绕组每匝电压,ΣD指漏磁的等效面积,Hk为两个绕组得平均电抗高度。
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