[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种包括具有低导通状态电压和低关断损耗的特征的IGBT元件的半导体器件。该半导体器件由沟槽栅极型IGBT元件组成。IGBT元件包括：被给予栅极电位的多个栅极沟槽电极、以及被给予发射极电位的多个发射极沟槽电极。在相邻的沟槽电极之间，形成至发射极电极层的接触。就这一点而言，在半导体衬底中，形成P型浮置区域，该P型浮置区域经由层间绝缘层，与发射极沟槽电极中的至少一些的底部接触。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底，具有第一主表面和第二主表面；第二导电类型的第一杂质层，形成在所述第一主表面之上；所述第二导电类型的第二杂质层，形成在所述第二主表面之上；多个沟槽电极，在所述半导体衬底的平面图中，沿着第一方向延伸、并且在与所述第一方向正交的第二方向上布置成行，所述沟槽电极中的每一个都经由绝缘膜嵌入在所述沟槽内部、形成为穿过所述第一杂质层并且到达所述半导体衬底的内部，所述沟槽电极包括：多个栅极沟槽电极，被给予栅极电位；以及多个发射极沟槽电极，被给予发射极电位；发射极电极层，具有所述发射极电位，形成在所述第一主表面之上，形成为经由层间绝缘层与所述沟槽电极关联、并且在每个相邻的所述沟槽电极之间电耦合至所述第一杂质层；所述第二导电类型的一个或多个第一杂质区域，形成为在所述半导体衬底内部与所述第一杂质层和所述第二杂质层间隔开、并且经由所述绝缘膜与所述发射极沟槽电极中的至少一些的底部接触；以及所述第一导电类型的多个第二杂质区域，形成在所述第一杂质层的正表面部分之上，并且经由所述绝缘膜与每个所述栅极沟槽电极的两侧或者一侧相邻。